NMC-4000（M） MOCVD設(shè)備：NANO-MASTER針對(duì)InGaN及AlGaN沉積工藝所研發(fā)的臺(tái)式等離子輔助金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)（PA-MOCVD）,該系統(tǒng)具有5個(gè)鼓泡裝置（各帶獨(dú)立的冷卻槽）、加熱的氣體管路、950度樣品臺(tái)三個(gè)氣體環(huán)、淋浴式氣體分布的RF射頻等離子源以及工藝終端的N2沖洗、250l/sec渦輪分子泵及無油真空泵（5 x 10-7Torr極限真空）、PC全自動(dòng)控制，

等離子輔助MOCVD技術(shù)

NMC-4000(M) MOCVD設(shè)備概述：NANO-MASTER針對(duì)InGaN及AlGaN沉積工藝所研發(fā)的臺(tái)式等離子輔助金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)(PA-MOCVD),該系統(tǒng)具有5個(gè)鼓泡裝置(各帶獨(dú)立的冷卻槽)、加熱的氣體管路、950度樣品臺(tái)三個(gè)氣體環(huán)、淋浴式氣體分布的RF射頻等離子源以及工藝終端的N2沖洗、250l/sec渦輪分子泵及無油真空泵(5 x 10^-7Torr極限真空)、PC全自動(dòng)控制，*的安全互鎖。

目前，這項(xiàng)技術(shù)延伸到5個(gè)4"晶圓的立柜式獨(dú)立批處理系統(tǒng)，該系統(tǒng)可以集成到集群配置中以滿足高產(chǎn)量的要求。

NMC-4000(M) MOCVD設(shè)備特點(diǎn)：

• 臺(tái)式系統(tǒng)
• 10英寸不銹鋼腔體
• 帶碰頭氣體分配器的射頻等離子源
• 自動(dòng)調(diào)節(jié)
• 4英寸基片夾、可加熱到900°C
• 5個(gè)帶獨(dú)立冷卻/加熱的起泡器
• 加熱氣體管道
• 附加流量控制器
• 250升/秒渦輪分子泵組
• 5×10^-7托基準(zhǔn)壓
• 電腦程序全自動(dòng)驅(qū)動(dòng)
• 儀器模擬用戶界面
• 緊急按鈕保護(hù)和安全互鎖

選配：

• 立式獨(dú)立系統(tǒng)
• 感應(yīng)耦合等離子或微波等離子源
• 14英寸電解拋光立方體腔體
• 8英寸或12英寸基片夾
• 6英寸可加熱至700°C旋轉(zhuǎn)基板臺(tái)（4英寸可到950°C）
• 附加的起泡器和MFC
• 晶圓自動(dòng)裝載/卸載
• 可兼容集群配置

應(yīng)用：

• 3到5族半導(dǎo)體層
• 藍(lán)色發(fā)光二極管
• 激光二極管
• 紫外-可見光譜光電中的氮化銦納米棒
• 3D或2D材料中的二硫化鉬、氮化硼、石墨烯